تحليل وتقييم أداء دارة جامع Carry Select Adder متسامح العطل لبت واحد مصنعة وفق تقنية Static CMOS وتقنية GDI.

الملخص

مع التطور الكبير في الأنظمة الإلكترونية الحديثة، توجب على المصممين مراعاة الأعطال الممكن حدوثها ضمن هذه الدارات. وبما أن الجامع Carry Select Adder(CSeA) يعد من أسرع أنواع الجوامع فسيتناول هذا البحث تصميم دارة جامع Carry Select Adder لبت واحد (1bit CSeA) متسامحة العطل. يستطيع هذا التصميم إصلاح الأعطال المفردة والمزدوجة دون مقاطعة عمل النظام. كذلك تمت مقارنة أداء دارة الجامع بالاعتماد على تقنيتين مختلفتين: تقنية  Static or Conventional  CMOS وتقنية Gate Diffusion Input (GDI). عملية المقارنة تمت بعد رسم الخريطة الفيزيائية Layout للدارتين بالاعتماد على عدة تقنيات لتكنولوجيا تصنيع الدارت الالكترونية وهي:CMOS 0.90nm  ،  CMOS 0.45nm،CMOS 0.32nm  وCMOS 0.22nm. تمت مقارنة مساحة الرقاقة والطاقة المستهلكة لكل تقنية، وذلك من خلال برنامج DSCH3.5 من اجل محاكاة الدارة على مستوى الترانزستور وبرنامج MICROWIND 3.5 من اجل رسم ومحاكاة الخريطة الفيزيائية Layout.